Crucial SSD MX500 2.5" SATA 1000 GB
- Capacité de mémoire totale: 1000 GB
- Interface stockage de données: SATA III (6Gb/s)
- Taille du SSD: 7 mm
- Facteur de forme du SSD: 2.5"
- Champ d’application SSD: Consommateurs
| N° art. | 698486 |
| N° art. fab. | CT1000MX500SSD1 |
| Page du fabricant | Crucial |
| Lien du fabricant | Crucial |
| Garantie du fabricant | 60 mois |
| Vendu depuis | 21.01.2018 |
| EAN | 649528785060 |
| Stock | +127 |
Crucial SSD MX500 2.5" SATA 1000 GB
2.5" SSD avec 1 To
- SSD 2.5", 1000 GB, SATA III (6Gb/s)
- Hauteur totale: 7 mm
- Cryptage du stockage des données: 256-Bit-AES
- 3D NAND
- Vitesse de lecture: 560 MB/s, Vitesse d'écriture: 510 MB/s
- Inclut le logiciel de clonage Acronis, une entretoise de 9.5 mm et des instructions de montage
Le Crucial MX500 est le successeur du populaire MX300-SSD et offre plus de performances et les bonnes caractéristiques habituelles. Doté d'une mémoire NAND 3D 64 couches, le SSD promet une plus grande durabilité et plus de performances. Le contrôleur utilisé de Silicon Motion (SM2258) avec quatre canaux de mémoire n'est pas étranger et est utilisé dans de nombreux SSD courants. Un cryptage matériel intégré assure également la protection de vos données.
Accélération dynamique de l'écriture grâce au cache SLC
Le Crucial MX500 atteint des vitesses de lecture allant jusqu'à 560 Mo/s et d'écriture allant jusqu'à 510 Mo/s pour tous les types de fichiers (95 000 et 90 000 IOPS respectivement pour l'accès aléatoire). Pour augmenter les performances, le SSD est équipé d'un cache SLC. Cette accélération dynamique de l'écriture permet un stockage et des transferts de fichiers plus rapides, ce qui profite en fin de compte à l'ensemble de votre système.
Méthodes de cryptage modernes
Le Crucial MX500 est équipé du tout dernier cryptage matériel. Grâce à la prise en charge de AES-256, TCG Opal 2.0 et Microsoft eDrivee de Microsoft, vous pouvez dormir tranquille car vos données sont protégées à tout moment.
Mémoire flash 3D-NAND
Dans la NAND 3D (également appelée V-NAND ou 3D V-NAND), les transistors sont verticaux par rapport à la surface de la puce et les cellules de mémoire flash sont superposées en couches. On obtient ainsi une plus grande densité de mémoire tout en réduisant le risque d'interférences entre les cellules. Grâce aux connexions plus courtes entre les cellules, la puissance électrique augmente et la consommation d'énergie diminue.
