ADATA SSD SU800 3D NAND 2.5" SATA 512 GB
- Capacité de mémoire totale: 512 GB
- Interface stockage de données: SATA III (6Gb/s)
- Taille du SSD: 7 mm
- Facteur de forme du SSD: 2.5"
- Champ d’application SSD: Consommateurs
| N° art. | 479969 |
| N° art. fab. | ASU800SS-512GT-C |
| Page du fabricant | ADATA |
| Lien du fabricant | ADATA |
| Garantie du fabricant | 36 mois |
| Vendu depuis | 02.10.2016 |
| EAN | 4712366967267 |
| Stock | +9 |
ADATA SSD SU800 3D NAND 2.5" SATA 512 GB
2.5"-Solid State Drive mit 512 GB
- SSD 2.5", 512 GB, SATA III (6Gb/s)
- Hauteur totale: 7 mm
- Cryptage du stockage des données: Aucune
- 3D V-NAND
- Vitesse de lecture: 560 MB/s, Vitesse d'écriture: 520 MB/s
- Contrôleur mémoire: SMI
Equipez votre ordinateur portable ou PC avec plus de vitesse, de stabilité et d'efficacité. Ce SSD vous offre une capacité de stockage de 512 Go. Doté de la technologie 3D TLC NAND Flash et de fonctions telles que DEVSLP (Device Sleep), ce SSD donne à votre système une performance et une efficacité énergétique accrues. La mise en cache intelligente SLC et une mémoire tampon DRAM garantissent des vitesses d'écriture et de lecture élevées.
Technologie 3D-V-NAND
Le SU800 Solid State Drive utilise la technologie 3D-V-NAND. Avec 3D-V-NAND, les transistors sont verticaux par rapport à la surface de la puce et sont également disposés sur plusieurs plans. Cela permet d'obtenir une densité de stockage plus élevée tout en réduisant le risque d'interférences entre les cellules.
Disque dur à semi-conducteurs
Les avantages par rapport à un disque dur conventionnel sont des temps d'accès considérablement plus courts, une consommation d'énergie réduite et une tolérance aux chocs considérablement accrue. Cela signifie que votre système d'exploitation démarre plus rapidement, génère moins de chaleur et vos données restent intactes même en cas de vibrations importantes. Un autre avantage est la très longue durée de vie de vos données, ce qui permet de les conserver pendant une longue période.
Mémoire flash 3D-NAND
Dans 3D-NAND (également connu sous le nom de V-NAND ou 3D V-NAND), les transistors sont positionnés verticalement par rapport à la surface de la puce et les lignes de mémoire flash sont disposées en couches superposées. Il en résulte une densité de stockage plus élevée tout en réduisant le risque d'interférence entre les cellules. Grâce au raccourcissement des connexions entre les cellules, la puissance électrique augmente et donc la consommation d'énergie diminue.
