ADATA SSD SU800 3D NAND 2.5" SATA 512 GB
- Speicherkapazität total: 512 GB
- Speicherschnittstelle: SATA III (6Gb/s)
- SSD Bauhöhe: 7 mm
- SSD Formfaktor: 2.5"
- Anwendungsbereich SSD: Consumer
| Artikelnummer | 479969 |
| Herst.-Nr. | ASU800SS-512GT-C |
| Herstellerseite | ADATA |
| Herstellerlink | ADATA |
| Herstellergarantie | 36 Monate |
| Verkauf seit | 02.10.2016 |
| EAN | 4712366967267 |
| Lagerbestand | 0 (mehr anzeigen) |
ADATA SSD SU800 3D NAND 2.5" SATA 512 GB
2.5"-Solid State Drive mit 512 GB
- Lesen: 560 MB/s, Schreiben: 520 MB/s
- Bauhöhe: 7 mm
- Intelligentes SLC Caching und DRAM Cache Buffer
- 3D TLC NAND Flash
- SSD Toolbox und Migration Utility für einfache Datenmigration
Bestücken Sie Ihr Notebook oder PC mit mehr Geschwindigkeit, Stabilität und Effizienz. Diese SSD bietet Ihnen 512 GB Speicherkapazität. Ausgerüstet mit 3D TLC NAND Flash und Funktionen wie DEVSLP (Device Sleep) verpasst diese SSD Ihrem System einen gehörigen Boost in puncto Leistung sowie Energieeffizienz. Das intelligente SLC Caching und ein DRAM Buffer sorgen dabei für eine hohe Schreib- und Lesegeschwindigkeit.
3D-V-NAND Technologie
Das SU800 Solid State Drive nutzt die 3D-V-NAND-Technologie. Bei 3D-V-NAND stehen die Transistoren vertikal zur Chipfläche und sind zudem in mehreren Ebenen angeordnet. Dadurch erreicht man eine höhere Speicherdichte und reduziert gleichzeitig das Risiko von Interferenzen zwischen den Zellen.
Solid State Drive
Die Vorteile gegenüber einer herkömmlichen Festplatte sind die wesentlich kürzeren Zugriffszeiten, geringerer Energieverbrauch sowie eine stark erhöhte Schocktoleranz. Das bedeutet, dass Ihr Betriebssystem schneller bootet, weniger Wärme entsteht und Ihre Daten auch bei grösseren Erschütterungen intakt bleiben. Ein weiterer Vorteil ist die sehr hohe Lebensdauer, wodurch Ihre Daten über lange Zeit erhalten bleiben.
3D-NAND Flashspeicher
Bei 3D V-NAND (auch V-NAND oder 3D NAND gennant) stehen die Transistoren vertikal zur Chipfläche und die Flash-Speicherzeillen werden in Schichten übereinander angeordnet. Dadurch erreicht man eine höhere Speicherdichte und reduziert gleichzeitig das Risiko von Interferenzen zwischen den Zellen. Dank der verkürzten Verbindungen zwischen den Zellen steigt die elektrische Leistung, darüber hinaus sinkt in Folge dessen der Stromverbrauch.
