Crucial SSD MX500 2.5" SATA 500 GB
- Speicherkapazität total: 500 GB
- Speicherschnittstelle: SATA III (6Gb/s)
- SSD Bauhöhe: 7 mm
- SSD Formfaktor: 2.5"
- Anwendungsbereich SSD: Consumer
| Artikelnummer | 698485 |
| Herst.-Nr. | CT500MX500SSD1 |
| Herstellerseite | Crucial |
| Herstellerlink | Crucial |
| Herstellergarantie | 60 Monate |
| Verkauf seit | 21.01.2018 |
| EAN | 649528785053 |
| Lagerbestand | +29 |
Crucial SSD MX500 2.5" SATA 500 GB
2.5"-Solid State Drive mit 500 GB
- 2.5"-SSD, 500 GB, SATA III (6Gb/s)
- Bauhöhe: 7 mm
- Speicherverschlüsselung: 256-Bit-AES
- Lesen: bis zu 560 MB/s, Schreiben: bis zu 510 MB/s
- SLC-Cache für dynamische Schreibbeschleunigung
- Inkl. Cloning-Software von Acronis, 9.5 mm-Abstandshalter und Einbauanweisungen
Die Crucial MX500 bietet als Nachfolger der beliebten MX300-SSD mehr Leistung und eine gewohnt gute Ausstattung. Mit 64-Layer-3D-NAND Speicher bestückt, verspricht die SSD eine höhere Haltbarkeit und mehr Leistung. Der eingesetzte Controller von Silicon Motion (SM2258) mit vier Speicherkanälen ist dabei kein Unbekannter und kommt in vielen Mainstream-SSDs zum Einsatz. Eine integrierte Hardwareverschlüsselung gewährleistet zudem den Schutz Ihrer Daten.
Dynamic Write Acceleration durch SLC-Cache
Die Crucial MX500 erreicht Lesegeschwindigkeiten von bis zu 560 MB/s und Schreibgeschwindigkeiten von bis zu 510 MB/s bei allen Dateitypen (95'000 beziehungsweise 90'000 IOPS bei Zufallszugriffen). Zur Leistungssteigerung ist die SSD mit einem SLC-Cache ausgerüstet. Dank dieser dynamischen Schreibbeschleunigung werden schnellere Speichervorgänge und Dateiübertragungen ermöglicht, wovon schlussendlich Ihr gesamtes System profitiert.
Moderne Verschlüsselungsmethoden
Die Crucial MX500 ist mit der neuesten hardwarebasierten Verschlüsselung ausgerüstet. Mit Support für AES-256, TCG Opal 2.0 und Microsoft eDrivee von Microsoft können Sie also ruhig schlafen, denn Ihre Daten sind jederzeit geschützt.
3D-NAND Flashspeicher
Bei 3D-NAND (auch V-NAND oder 3D V-NAND gennant) stehen die Transistoren vertikal zur Chipfläche und die Flash-Speicherzeillen werden in Schichten übereinander angeordnet. Dadurch erreicht man eine höhere Speicherdichte und reduziert gleichzeitig das Risiko von Interferenzen zwischen den Zellen. Dank der verkürzten Verbindungen zwischen den Zellen steigt die elektrische Leistung, darüber hinaus sinkt in Folge dessen der Stromverbrauch.
